业内最小 Vishay TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET

业内最小 Vishay TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET

　　2013 年 12 月5 日，VishayIntertechnology, Inc宣布，推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。VishaySiliconix Si8851EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下分别具有8.0mΩ和11.0mΩ的极低导通电阻。

　　Si8851EDB把P沟道Gen III技术与MICRO FOOT的无封装CSP技术，以及30pin设计和引脚布局结合在一起，在给定的面积内提供了尽可能低的导通电阻。与最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度薄50%，在4.5V栅极驱动下的导通电阻几乎只有一半，单位封装尺寸的导通电阻低37%。Si8851EDB的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET，外形尺寸小56%，单位封装尺寸的导通电阻低30%以上。

　　当前推出的器件高度只有0.4mm，适和在平板电脑、智能手机和笔记本电脑的电源管理应用中用作负载和电池开关。Si8851EDB的低导通电阻使设计者可以在其电路里实现更低的压降，从而更有效地使用电能并延长电池使用寿命，同时其小占位可节省宝贵的PCB空间。Si8851EDB的典型ESD保护达到6kV，有助于保护手持设备避免因静电放电而损坏，同时保证在生产过程能对零组件进行安全的加工处理。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。

　　Si8851EDB现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十六周。