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三星开始生产100层V-NAND闪存，已供货PC厂！
据ZDNet今日报道，三星电子宣布，已开始生产业内首批100层V-NAND闪存。三星电子表示，基于256Gb的3-bitV-NAND闪存将用于企业级PCSSD，该公司还透露，250GB的SATAPCSSD已供应给了一家PC制造商，但三星并未揭晓
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三星V-NAND正式挺进96层 2018资本支出或达64亿美元
自3DNANDFlash工艺诞生以来，各大存储厂商之间一直进行着堆叠“大战”。近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度，欲打破各厂商3DNAND64层竞争的平衡3DNAND是通过把存储单元堆
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三星宣布量产96层V-NAND，2019年1Tb容量将成主流
三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持ToggleDDR4.0NAND接口，可拥有更高的传输速度。另外，三星新的V-NAND效能
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三星3D V-NAND技术再增强 SSD固态硬盘容量可翻番
8月12日消息，在美国闪存峰会(FMC)上，三星宣布旗下3DV-NAND技术再获突破，堆叠层数从之前的最多32层发展到了48层，在同样的芯片面积下，容量最多可以增长两倍，而功耗降低了30%。三星的V-NAND技术放弃了传统的浮栅极MOSFET，
2015-08-12 10:08 -
三星2015年内量产48层V NAND 已着手研发64层产品
三星电子(SamsungElectronics)为与其他尚无法生产VNAND的竞争业者将技术差距拉大到2年以上，并在次世代存储器芯片市场上维持独大地位，计划在2015年内量产堆叠48层Cell的3D垂直结构NANDFlash。据首尔经济报导，三
2015-01-16 09:28