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安森美半导体推进更快、更智能和更高能效的GaN晶体管
氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势,被称为第三代半导体材料,用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等,可实现硅器件难以达到
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飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管
飞思卡尔半导体[NYSE:FSL]日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的GaN器件方面,已经取得了重大突破。飞思卡尔高级副总裁
2015-05-21 10:10