挥发性记忆体-标签

MRAM主导28nm CMOS制程

在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于领先的位置。比利时研究机构IMEC记忆体部门总监ArnaudFurnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体

MRAM 28nm 挥发性记忆体

2016-06-03 09:04