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MRAM主导28nm CMOS制程
在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于领先的位置。比利时研究机构IMEC记忆体部门总监ArnaudFurnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体
在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于领先的位置。比利时研究机构IMEC记忆体部门总监ArnaudFurnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体
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