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台工研院发表最新MRAM技术，优于台积电、三星

台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。台工研院电光系统所所长吴

2019-12-11 14:20

东芝和产综研为解决电压驱动型MRAM重要课题开辟道路

东芝和日本产业技术综合研究所自旋电子学研究中心的研究小组开发出了可降低电压驱动型非易失性磁内存“电压扭矩MRAM”的写入误码率的新写入方式。将在“IEDM2016”上发表。这种内存与原来的电流驱动型STT-MRAM相比，特点是写入电流小，容易降

2016-12-06 09:52

MRAM主导28nm CMOS制程

在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于领先的位置。比利时研究机构IMEC记忆体部门总监ArnaudFurnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体

2016-06-03 09:04

TDK新型存储技术MRAM或取代闪存

近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时

2014-10-13 08:33

DRAM与快闪记忆体仍扮演重要角色 MRAM普及尚需时日

磁阻内存的概念几乎是和磁盘记录技术同时被提出来的。但是众所周知，内存读写的速度需要达到磁盘读写的速度的100万倍，所以不能直接使用磁盘记录技术来生产内存。磁阻内存的设计看起来并不复杂，但是对材料的要求比较高。磁致电阻现象虽然150年前就由英国科

2014-07-08 10:42

东芝携手SK Hynix共同研发MRAM将抢先量产

日经新闻1日报导，东芝(Toshiba)将携手南韩SKHynix于2016年度量产可大幅提高智慧手机性能的次世代记忆体「磁电阻式随机存取记忆体(MagnetoresistiveRandomAccessMemory；MRAM)」，量产时间将比美国

2014-01-03 09:33

日美20家芯片公司联手：MRAM要革DRAM的命？

据CNET引《日经新闻》报道，日本、美国的20多家芯片公司组成研发联盟，将共同开发下一代“磁随机存取存储器”（MRAM），有望替代目前的存储方案——DRAM（动态随机存储）。包括东京电子（TokyoElectron）、信越化学工业（Shin-E

2013-11-26 09:34

16Mb MRAM正式问世目标应用包括工业自动化和机器人

Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Sai

2010-06-17 09:44