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台工研院发表最新MRAM技术，优于台积电、三星
台工业技术研究院10日于美国举办的国际电子元件会议(IEDM)中发表铁电存储器(FRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)等6篇技术论文。其中，从研究成果显示，工研院相较台积电、三星的MRAM技术更具稳定、快速存取优势。台工研院电光系统所所长吴
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MRAM主导28nm CMOS制程
在28nm晶片制程节点的嵌入式非挥发性记忆体竞赛上，自旋力矩转移磁阻式随机存取记忆体(STT-MRAM)正居于领先的位置。比利时研究机构IMEC记忆体部门总监ArnaudFurnemont指出，虽然电阻式随机存取记忆体(ReRAM)和相变记忆体
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TDK新型存储技术MRAM或取代闪存
近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据的时
2014-10-13 08:33 -
DRAM与快闪记忆体仍扮演重要角色 MRAM普及尚需时日
磁阻内存的概念几乎是和磁盘记录技术同时被提出来的。但是众所周知，内存读写的速度需要达到磁盘读写的速度的100万倍，所以不能直接使用磁盘记录技术来生产内存。磁阻内存的设计看起来并不复杂，但是对材料的要求比较高。磁致电阻现象虽然150年前就由英国科
2014-07-08 10:42 -
东芝携手SK Hynix共同研发MRAM将抢先量产
日经新闻1日报导，东芝(Toshiba)将携手南韩SKHynix于2016年度量产可大幅提高智慧手机性能的次世代记忆体「磁电阻式随机存取记忆体(MagnetoresistiveRandomAccessMemory；MRAM)」，量产时间将比美国
2014-01-03 09:33 -
日美20家芯片公司联手：MRAM要革DRAM的命？
据CNET引《日经新闻》报道，日本、美国的20多家芯片公司组成研发联盟，将共同开发下一代“磁随机存取存储器”（MRAM），有望替代目前的存储方案——DRAM（动态随机存储）。包括东京电子（TokyoElectron）、信越化学工业（Shin-E
2013-11-26 09:34 -
16Mb MRAM正式问世 目标应用包括工业自动化和机器人
Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。Everspin科技公司首席运营官Sai
2010-06-17 09:44