东芝携手SK Hynix共同研发MRAM将抢先量产

       日经新闻1日报导，东芝(Toshiba)将携手南韩SK Hynix于2016年度量产可大幅提高智慧手机性能的次世代记忆体「磁电阻式随机存取记忆体(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)」，量产时间将比美国美光科技(Micron Technology Inc.)所计划的2018年提前了约2年时间。
       报导指出，东芝和Hynix于2011年开始共同研发MRAM，并计划于2014年度内进行试作品的出货。据报导，东芝/Hynix将利用位于首尔郊外的Hynix主力工厂生产MRAM试作品、最快并计划于2016年度进行量产，且若后续MRAM呈现普及，双方也计划设立合资公司、并计划在南韩投资1,000亿日圆兴建专用产线。
       目前MRAM的研发可分为三大阵营，除了上述的东芝/Hynix之外，三星电子(Samsung Electronics)也正进行研发，而美光则和东京威力科创(Tokyo Electron)等20家以上日美半导体相关企业进行合作，希望于2016年度确立MRAM的量产技术、之后并计划于2018年透过美光子公司尔必达(Elpida)的广岛工厂进行量产。
       MRAM为一种低耗电力且写入速度极快的非挥发性记忆体，且即便切断电源资料也不会消失；和现行主流记忆体「DRAM」相比，MRAM的记忆容量及写入速度可大幅提高至10倍，且搭载MRAM的电子产品的耗电力可缩减至2/3，即在充饱一次电的情况下，可将智慧手机的使用时间自现行的数十小时大幅延长至数百小时。
       据日经指出，东北大学预估，2020年MRAM全球需求可望达7兆日圆，且随着记忆体需求持续自DRAM转移至MRAM，预估包含智慧手机等电子机器、制造设备及材料等相关领域计算，整体MRAM相关经济效应将达100兆日圆。