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力晶带头 台湾DRAM厂展开转型之路
集邦科技(TrendForce)研究指出，台湾记忆体供应商力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM技术发展，并于明年起全数转入30nm4Gb生产，而空出的产能将会以NANDFlash填补，后续技术发展的重点也
2011-11-11 13:47
集邦科技(TrendForce)研究指出，台湾记忆体供应商力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM技术发展，并于明年起全数转入30nm4Gb生产，而空出的产能将会以NANDFlash填补，后续技术发展的重点也
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