力晶带头 台湾DRAM厂展开转型之路

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2011-11-11 13:47

       集邦科技(TrendForce)研究指出,台湾记忆体供应商力晶在 2012年起将会大幅降低标准型 DRAM 投片量,以最低的产能维持 DRAM 技术发展,并于明年起全数转入 30nm 4Gb生产,而空出的产能将会以 NAND Flash 填补,后续技术发展的重点也转移到 NAND 2Xnm的制程微缩。

       放远未来,力晶仍会保留DRAM技术,待 3DIC 以及 TSV 的技术成熟时,将会以记忆体为中心做晶片组的整合,力图成为大中华地区各技术领域最完整之晶圆厂。随着力晶正式宣布将产能逐步扩大至Flash产品上,加上原先代工如 LCD Driver 及非标准型 DRAM 产品,希望 2012年标准型DRAM的投片仅占总投片量的20%,力晶将成为代工与Flash为主要业务的公司,也算是宣告退出标准型 DRAM 市场。

       集邦指出,与国际大厂相比,台湾 DRAM 产业由于制程转进速度缓慢及过多比例放在标准型 DRAM 上,导致今年至今亏损达台币586亿元;由于 DRAM 产业仍处于供过于求状况,加上国际大厂在第四季积极转入30nm制程,预估明年上半年供过于求依然超过15%,故部份台系DRAM厂早已展开转型之路。

       除了前述力晶之外,南科也将逐步转入利基型与伺服器记忆体为主,华亚科在美光的伺服器记忆体的订单下,也希望将伺服器记忆体比重拉到30~50%,华邦则是早已转型成功,专攻行动式记忆体与NOR Flash为主要市场。集邦表示,放眼2012年,将是台系DRAM厂转型的关键年,只要能降低标准型记忆体的生产量,将有机会在严峻的市场中生存下来。

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