力晶带头 台湾DRAM厂展开转型之路

       集邦科技(TrendForce)研究指出，台湾记忆体供应商力晶在 2012年起将会大幅降低标准型 DRAM 投片量，以最低的产能维持 DRAM 技术发展，并于明年起全数转入 30nm 4Gb生产，而空出的产能将会以 NAND Flash 填补，后续技术发展的重点也转移到 NAND 2Xnm的制程微缩。

       放远未来，力晶仍会保留DRAM技术，待 3DIC 以及 TSV 的技术成熟时，将会以记忆体为中心做晶片组的整合，力图成为大中华地区各技术领域最完整之晶圆厂。随着力晶正式宣布将产能逐步扩大至Flash产品上，加上原先代工如 LCD Driver 及非标准型 DRAM 产品，希望 2012年标准型DRAM的投片仅占总投片量的20%，力晶将成为代工与Flash为主要业务的公司，也算是宣告退出标准型 DRAM 市场。

       集邦指出，与国际大厂相比，台湾 DRAM 产业由于制程转进速度缓慢及过多比例放在标准型 DRAM 上，导致今年至今亏损达台币586亿元；由于 DRAM 产业仍处于供过于求状况，加上国际大厂在第四季积极转入30nm制程，预估明年上半年供过于求依然超过15%，故部份台系DRAM厂早已展开转型之路。

       除了前述力晶之外，南科也将逐步转入利基型与伺服器记忆体为主，华亚科在美光的伺服器记忆体的订单下，也希望将伺服器记忆体比重拉到30~50%，华邦则是早已转型成功，专攻行动式记忆体与NOR Flash为主要市场。集邦表示，放眼2012年，将是台系DRAM厂转型的关键年，只要能降低标准型记忆体的生产量，将有机会在严峻的市场中生存下来。