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传联发科将采用FD-SOI工艺生产手机芯片
近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后,内部开始评估采用在大陆市场极为火热的FD-SOI制程,联发科为甩开在中、低阶手机芯片市场与展讯激烈缠斗,考虑投单GlobalFoundries最新一代22纳米FD-SOI制程,该计划将待
近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后,内部开始评估采用在大陆市场极为火热的FD-SOI制程,联发科为甩开在中、低阶手机芯片市场与展讯激烈缠斗,考虑投单GlobalFoundries最新一代22纳米FD-SOI制程,该计划将待
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