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SK海力士，第三代10纳米DDR4 DRAM 开发
SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16GbDDR4DRAM。这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。与第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不适用超高价的EU
SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米的16GbDDR4DRAM。这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。与第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不适用超高价的EU
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