SK海力士,第三代10纳米DDR4 DRAM 开发
SK海力士宣布开发适用第三代 1Z纳米的16GbDDR4 DRAM。
这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。与第二代1Y产品相比,该产品的生产效率提高了27%,并且可以在不适用超高价的EUV(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,结果具有成本竞争力。
该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率,这是DDR4规格内最高速度。功耗也显着提高,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,将功耗降低了约40%。
特别是,第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量(Capacitance)最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。
DRAM 1Z 开发事业TF长 李廷燻表示:“第三代10纳米级DDR4 DRAM拥有业界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于购买高性能/高容量DRAM的客户需求变化。计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应, 积极应对市场需求。”
另一方面,SK海力士计划对于下一代移动DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多种应用领域扩大适用第三代10纳米级微细工程技术。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案2025-06-23
- •Wolfspeed 正以积极举措夯实财务基础,为规模化盈利增长铺路2025-06-23
- •X-FAB为180纳米XH018工艺新增隔离等级,提升SPAD集成能力2025-06-23
- •工业电池充电器的PFC级拓扑对比:升压vs图腾柱2025-06-20
- •重磅新品 | 思特威推出50MP超高动态范围手机应用CMOS图像传感器2025-06-20
- •大联大友尚集团推出基于Leadtrend产品的100W PD3.0适配器方案2025-06-19
- •东芝推出符合AEC-Q100标准的双通道车载标准数字隔离器2025-06-19
- •兆易创新推出500W单级光伏微逆方案,助力控制精度更上层楼2025-06-19
- •高温IC设计必懂基础知识:高结温带来的5大挑战2025-06-18
- •大联大诠鼎集团推出基于Synaptics产品的机器视觉AI Hub方案2025-06-17