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英飞凌推出62mm CoolSiC模块，为碳化硅开辟新应用领域
英飞凌科技股份公司为其1200VCoolSiCMOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，以及沟槽栅芯片技术，为碳化硅打开了250kW以上（硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功
英飞凌科技股份公司为其1200VCoolSiCMOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，以及沟槽栅芯片技术，为碳化硅打开了250kW以上（硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功
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