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  • 起因于RTN的SRAM误操作进行观测并模拟的方法

    瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声(RTN:RandomTelegraphNoise)的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响,适当设定针对RTN的设计余度。该公司已在“2010S

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    2010-06-22 10:13

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