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起因于RTN的SRAM误操作进行观测并模拟的方法
瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响，适当设定针对RTN的设计余度。该公司已在“2010S
2010-06-22 10:13
瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响，适当设定针对RTN的设计余度。该公司已在“2010S
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