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POWDEC推出利用GaN类半导体新二极管SBD
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业POWDEC，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（SBD），预估2012年前量产。该二极管是面向逆变器电路及功率因数校正电路等功率用途的产品，耐压可确保在600V以上。其特点在于，
2010-12-06 10:36
近日，从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业POWDEC，公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管（SBD），预估2012年前量产。该二极管是面向逆变器电路及功率因数校正电路等功率用途的产品，耐压可确保在600V以上。其特点在于，
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