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  • 2012-2013年LED成本有望达500lm/$

    据了解,我国在具有自主知识产权的关键设备MOCVD、HVPE以及在LED器件如深紫外LED等都取得了重大进展。采用国产MOCVD设备制造了蓝光LED芯片在20mA驱动电流下发光功率达到8.3mW,达到了国际先进水平,中科院半导体所设计的国产48

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    2011-04-13 14:40

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