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中芯国际14纳米FinFET制造技术进行大规模生产
中芯国际14nm量产时间将早于预期。有台湾媒体报道称，中芯国际(SMIC)将于今年上半年开始应用其自主开发的14纳米FinFET制造技术进行大规模生产。值得注意的是，这比最初预期至少提前了几个季度，表明中芯国际的生产显然比计划提前了。上海市委副
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芯原戴伟民：IoT与AI时代需用FinFET和FD-SOI两条腿走路
在11月8日的全球CEO峰会上，芯原ChairmanCEO戴伟民博士和大家分享从万物互联到万物智联：机遇与挑战。戴博士分析到，我们在中国一直说“智能”，智能在很多领域被使用。在汽车领域，我们要让汽车更好的连接起来，在过去几年时间中发展的很快，在
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三星FinFET助力Innosilicon新一代比特币矿机芯片性能爆棚
7月31日，全球数字货币矿机ASIC产品领导者Innosilicon宣布其比特币矿机Terminator系列采用三星最先进的低功耗FinFET技术，以超高能效比打破行业记录——芯片能耗低达63W/TH，矿机墙上实测达75W/TH(环境温度25℃
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未来或被重罚12亿美元，三星FinFET制程被控告侵权
韩国三星为了多元化营收来源，这两年晶圆代工业务为重点发展项目，2018年率先推出7纳米EUV制程，抢在台积电、格罗方德与英特尔之前推出。但三星如今似乎“吃紧弄破碗”，FinFET制程惹上了麻烦。根据韩国媒体报导，上周三星被美国法院判决，侵犯自家
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三星计划2021年FinFET晶体管架构的后继产品
三星电子(SamsungElectronics)计划于2021年量产FinFET晶体管架构的后继产品——采用3纳米(nm)制程节点的环绕式闸极(gate-all-around;GAA)晶体管。在近日举行的年度代工技术论坛上，这家韩国巨擘重申将在
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Achronix完成其基于16nm FinFET+工艺的Speedcore eFPGA技术量产级测试芯片的验证
基于现场可编程门阵列(FPGA)的硬件加速器器件和嵌入式FPGA(eFPGA)硅知识产权领域领导性企业Achronix半导体公司(AchronixSemiconductorCorporation)日前宣布：已完成了其采用台积电(TSMC)16n
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传中芯国际14纳米FinFET后年量产
2017年11月底中芯国际完成权益类组合融资交易，合计募集资金9.72亿美元，创下2004年IPO以来最大金额的权益类融资，且除兆易创新外，包括大唐控股、国家集成电路产业基金等均积极参与，代表两大股东对于未来中芯国际发展的战略性支持，也突显中芯
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台积电南京厂明年五月提前半年量产
台积电共同CEO刘德音7日主持年度供应链管理论坛时，透露台积电南京12寸厂已预定明年5月开始出货，时程比台积电原计划提前半年。台积电南京厂将以16nm切入量产。台积电董事长张忠谋先前曾强调，台积电南京厂将是大陆首座能够在地量产16nm制程的重要
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联电宣布 14 纳米 FinFET 制程正式进入客户芯片量产阶段
晶圆代工大厂联华电子(以下简称联电)23日发出消息宣布，该公司所自主研发的14纳米鳍式场效电晶体(FinFET)制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段。联电表示，目前出货给主要客户的14纳米量产晶圆，良率已达先进制程的业界竞争水准，此制程将帮助客
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格罗方德展示基于先进14nmFinFET工艺技术
格罗方德公司今天宣布，已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56GbpsSerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分，FX-14具有56GbpsSerDes，致力于为提高功率和性能的客户需求而生，亦为应对最严