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凌力尔特推出双通道和单通道14 位250Msps ADC系列
凌力尔特公司推出双通道和单通道高IF采样14位、170Msps、210Msps和250Msps模数转换器(ADC)系列，该系列器件在输入频率高达900MHz时，仍然保持良好的SFDR性能。LTC215
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恩智浦宣布推出用于LCD显示器背光的集成LED驱动器
2011年03月08日恩智浦半导体NXP近日宣布推出用于LCD显示器背光的3通道LED驱动器UBA3077。UBA3077基于恩智浦GreenChip?技术，是一种全集成的开关模式解决方案，适用于多通
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飞兆PWM控制器为便携设备充电器实现超低待机功耗
采用mWSaver?技术以提供同级最佳的电源节能特性手机充电器通常都插在插座上，而且大多数时间都不在执行充电工作。但是，它们仍然会消耗电能，因而浪费了能源和用户的金钱。如何降低这些装置的待机功耗，从而
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德州仪器推出首款高性能 Delfino™ 浮点微处理器
2011年3月8日，日前，德州仪器(TI)宣布推出业界首款支持 55°C至210°C极限工作温度的浮点微处理器(MCU)。该SM320F28335-HTDelfino32位MCU温度极限远远超过其它高
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德州仪器推出首款双通道同步采样 ADC
日前，德州仪器(TI)宣布推出业界首款具有两个独立控制内部参考的双通道同步采样逐次逼近(SAR)模数转换器(ADC)，其可简化系统级设计工作。该16位ADS8363、14位ADS7263与12位ADS
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赛普拉斯推出高性能缓冲器系列
2011年3月8日赛普拉斯半导体公司日前宣布推出一款新型时钟缓冲器系列产品，该系列具有业界最低的额外RMS相位抖动。CY2Dx15xx系列的额外RMS相位抖动可低至60fs，同时还能实现低至480ps
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IR针对需要高效率和密度的大电流应用推出
国际整流器公司推出iP1837及iP1827iPowIR稳压器，适用于要求大电流的负载点(POL)应用，包括服务器、网络通信、数据存储及电信设备等。iP1837和iP1827器件把控制MOSFET、同
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Cree推出最高性能的中性白和暖白照明级LED
LED照明领域的市场领先者Cree公司宣布推出色温在2600K–5000K之间的中性白和暖白XLamp?XM-LLED。XM-LLED产品系列的完善为室内室外照明的广泛应用提供了前所未有的光输出和高光
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Vishay推出100VN沟道TrenchFET®功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc宣布，推出两款新的100VN沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY
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Vishay推出增强型PLT系列精密低TCR薄膜电阻
3种外形尺寸的PLT系列精密低TCR薄膜电阻的容差降至±0.01%日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出增强型PLT系列精密低TCR薄膜电阻，
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联发科技推出超低价多媒体手机单芯片解决方案
MT6252为业界首款支持串行闪存和丰富多媒体应用的解决方案2011年3月8日，全球无线通信及数字媒体IC设计领导厂商联发科技股份有限公司（MediaTekInc.)今日宣布推出超低价（Ultralo
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Vishay新款功率MOSFET4.5V下具有业内最低导通电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款新的100VN沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。Si
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ADI iMEMS陀螺仪在恶劣环境下提供更高抗振动性能
AnalogDevices,Inc(ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出三款新型高性能、低功耗iMEMS?陀螺仪ADXRS642、ADXRS646和ADXRS649，三者均提供模
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ST扩大并量产超低功耗ARM Cortex-M3微控制器系列
作为全球领先的服务于各种应用领域的半导体制造商、世界一流的微控制器厂商，意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码STM）宣布扩大STM32L系列32位微控制器的产
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IR推出紧凑灵活型单输入电压DC-DC稳压器
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出iP1837及iP1827iPowIR稳压器，适用于要求大电流的负载点(POL)应用，包括
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安捷伦推出LTE-Advanced信号生成与分析解决方案
安捷伦科技公司推出专用于LTE-Advanced信号生成与信号分析解决方案，进一步巩固了安捷伦在LTE测试领域的领导地位。LTE-Advanced是LTE的演进，最早作为3GPP第10版标准的一部分进
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Vishay Siliconix推出双芯片P沟道器件
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款双芯片20VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mmx2mm占位面积的热增强型P
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IBM披露5.2GHz z196旗舰处理器细节信息
IBM公布了其5.2GHzz196旗舰CPU的细节信息，该处理器的时钟频率比老款4.4GHzz10处理器高18%，散热性能与老款处理器相似。来自EETimes的消息称，IBM将z196处理器从65nm
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Xilinx推嵌入式CPU引起轩然大波
可以说，由于Zynq的全新加入，嵌入式CPU市场被完全搅乱了。大家对于FPGA厂商突破围笼进入新的领域表示了期待与欢迎。不过，功耗、成本、速度、业务模式则成为大家对于这一新生事物的最为关心的话题。“技
