DRAM价格近底 五月下旬反弹

DRAM价格近底 五月下旬反弹

     力晶（5346）第一季受惠新增产能一八％挹注，单季毛利率守稳三五％、EPS一．一元。力晶总经理谢再居表示，第二季报价对成本结构，有相当大的挑战，四月DRAM现货价应为底部，五月浮现反弹，第二季512Mb价格守稳二．五美元至三美元；下半年随着需求推升，价格进一步回升约在三至三．五美元间，甚至四美元水准。
    
     谢再居说，力晶DDR2 512Mb ETT成本约可压到约一．八美元至一．九美元，争取稳定获利空间。下半年1GB将成为市场主流规格，力晶期望以七○奈米生产的1GB产品成本控制在三美元，相对内部推估届时1GB约八、九美元价格，获利展望审慎乐观。
    
     分析师认为，力晶首季获利符合预期，三月底每股净值一九．五一元，相对目前市价二○．三元，股价确有低估之处；第二季行情触底看法相符，加上表达今年不会有股本扩张的筹资计画，股价应有向上反映的空间。
    
     谢再居表示，以目前全球八寸厂产能每月约四十万片左右，八寸厂将完全退出标准型DRAM生产行列，以目前全球十二寸厂加上八寸厂整体产能，将淘汰产能约占二五％左右，有利价格稳定。
    
     谢再居说，包括力晶，不少DRAM厂都在扩充产能，他估，今年整个产业位元成长率达七○％，全年DRAM平均ASP有五成的跌幅，在制程效率转换下，今年是DRAM厂优胜劣败的关键年。
    
     力晶第二季工作重点包括12M产能拉高、70nm 512Mb的量产、1Gb的试产，以及8Gb flash试产。由于七○奈米在一片十二寸晶圆上可切割出超过一千四百颗以上晶片，相较九○奈米制程多出约五五％产出，且目前技术母厂尔必达的良率也达八○％成本。