瑞晶预期11月70奈米开始量产 今年力晶位元出货成长率达82%

瑞晶预期11月70奈米开始量产 今年力晶位元出货成长率达82%

       力晶 (5346-TW下单)总经理谢再居指出，与尔必达合资成立的瑞晶预计在今年5月装机，6月可望进行试产， 7月大量投片，11月就可望以70奈米产出，第一阶段月产3万片，至明(2008)年初再迁入机台设备，预计明年4月产能就可望达到6万片。
       而瑞晶2厂(R2厂)也预计今年8月动土，明年 6月装机，初期月产能 3万片，10月开始量产。预估未来18个月内，瑞晶将增加 9万片12寸晶圆产能，力晶将获得其中50%的产能挹注。
       谢再居指出，瑞晶R2厂与R1厂是双子星结构，因此R2兴建速度要比R1更快，且瑞晶将以70奈米制程直接切入1GB标准型DRAM产品。
       谢再居表示， 1GB规格将在今年下半年就可望成为主流产品，力晶不仅在技术上领先进入70奈米，在 1GB产品导入主流规格上也将拔得头筹，可望大幅降低单位生产成本，因此虽DRAM价格今年以来虽已下跌超过 50%，旦下半年力晶的利润空间仍将相当看好。
       力晶第1季位元出货成长达18%，预估第2季在12M厂产能将由第1季底约2.8-3万片提升至6月底达4万片挹注下，位元出货成长仍有 13%。而全年位元出货成长将达到82%高水准，主要来源包括12M厂产能扩增以及瑞晶第4将开始进入量产阶段外，制程技术由 90奈米转进70奈米也是关键因素。