英特尔：要在NAND型闪存领域尽快赶上三星！

英特尔：要在NAND型闪存领域尽快赶上三星！

英特尔正向闪存业务发动攻势。2005年1月与美国美光科技公司共同成立了NAND型闪存合资生产公司。主要面向需求正在急剧扩大的MP3播放器和存储卡等大容量存储用途。同时，该公司也不打算放慢NOR型闪存业务的发展速度。

英特尔负责内存制造技术研发工作的副总裁、技术与生产部经理、负责加利福尼亚技术与生产工作的Stefan K. Lai，就内存技术的开发现状与今后的发展接受了记者的采访。（采访者：大石基之）

问：在闪存市场上，NOR型闪存的势头似乎被NAND型闪存压制住了。

Lai：手机等领域对大容量NOR型闪存产品的需求仍在持续。我们现已开始量产90nm多值产品，今后将通过微细化和多值化，继续保持领先优势。

问：请您谈谈NOR型闪存今后的微细化计划。

Lai：2006年下半年开始量产65nm工艺NOR型产品。NOR型首批65nm产品将采用多值技术。目前尚无采用65nm工艺的非多值产品的市场投放计。

我坚信随后还将能够顺利地向45nm工艺发展。作为单元结构将可继续沿用普通的平面结构，而不需三维等结构。删除和写入等单元的工作原理也和65nm工艺一样。对于45nm工艺，预计将可把物理内存单元面积缩小到65nm工艺的一半左右。假设最小加工尺寸为F，那么物理单元面积的目标将是10F2。多值产品则相当于5F2。45nm产品的量产时间将在65nm产品的约2年以后，将能保持我们现有的微细化步伐。32nm与30nm等工艺的微细化尚无眉目。需要今后开展研究活动。

问：请谈介绍一下NAND型闪存的研发状况。

Lai：英特尔的研发部门刚刚开始NAND型产品的研究。由于是刚刚涉足此产品的研究，因此需要各种研究经验。当前将采用美光确立的制造技术，联合生产美光设计的NAND型产品。NAND型产品制造技术的研发工作今后仍将以美光为主。英特尔正在重点推进将NOR型具有优势的多值技术向NAND型移植时所需的技术研发等活动。在NOR型多值技术中，哪些关键技术能够移植到NAND中，需要在哪些关键技术方面进行新的开发，详情尚不清楚。

问：在NAND型产品方面，竞争非常激烈。英特尔有取胜的把握吗？

Lai：从现有的NAND型技术水平来说，韩国三星电子和东芝确实比我们高。希望尽快赶上三星。为此，准备面向NAND型产品同时开发多种工艺的制造技术。英特尔现已将多名技术人员派遣到爱达荷州博伊西，从事NAND技术的开发。今后还将不断增加研发人员。

问：现已有多种旨在取代闪存的新一代非挥发性内存。较为接近实用化水平的包括相变内存和MRAM等。您认为哪个最具潜力？

Lai：我认为是相变内存。因为其内存单元面积为10F²，在新型内存中成本竞争力相对较高。不过，这些内存并不能轻易地取代闪存。对于像我们这种拥有多值NOR产品的公司而言，更是如此。因为多值NOR产品的成本比相变内存低。而对于其他没有多值技术的众多NOR型闪存来说，对相变内存的研究可能更为重要一些。