NAND闪存将面临更大降低价格压力

NAND闪存将面临更大降低价格压力

　　分析师警告称，IM Flash Technologies LLC兴建一家新厂的举动，可能延长NAND闪存市场面临价格压力的时间。英特尔和美光日前表示，它们已决定在新加坡兴建其用于生产NAND闪存的第四家晶圆厂。

　　这两家厂商的合资企业-IM Flash Technologies，打算兴建和经营一个NAND闪存晶圆厂，在2008年下半年投产。该厂初期将采用50mm工艺和300mm晶圆。预计该厂将在2007年上半年动工兴建。

　　“英特尔和美光急需上述新加坡工厂的产能，但NAND闪存市场未必需要。”市场调研公司Gartner的分析师Joseph Unsworth表示。“除了巨额投资以外，有大量产能陆续投产。这些投资将继续在未来对价格构成压力。”

　　作为半导体产业中增长最快的芯片领域之一，NAND闪存市场的增长速度可能正在放缓。市场调研公司Gartner日前把2006年NAND闪存销售额预估“砍掉”了15亿美元，并预测2007年形势低迷。Gartner指价格环境疲软，而且苹果电脑公司的iPod新品推出势头乏力。