全球NAND Flash高容量市场厮杀战揭幕
来源： 作者： 时间：2006-12-11 21:36
三星年底合约价宣告失守 明年海力士、东芝大军围城 NAND Flash进入新一轮战局
三星电子（Samsung Electronics）力守NAND型快闪记忆体（Flash）价格策略宣告破功，12月上旬高容量MLC（Multi-Level-Cell）制程NAND型Flash合约价重挫逾20％，8Gb、16Gb分别失守10和20美元关卡，几乎贴近现货价。记忆体下游厂商表示，由于海力士（Hynix）60奈米及东芝（Toshiba）56奈米MLC制程2007年上半将陆续量产，三星63奈米制程优势式微，整个NAND型Flash市场进入新一轮激烈厮杀战。
2006年NAND型Flash市场MLC制程主流之路确立，三星和海力士所扮演推手角色功不可没，三星第二季MLC制程占总产出比重仅21％，且主要以70奈米制程为主，然进入第三季后，三星大举转换制程至63奈米，MLC比重急增至40％，展望第四季三星将持续拉升MLC比重至75％。海力士MLC制程进度更是出奇顺利，2005年上半MLC制程比重几近零，然2006年以来比重快速拉升，第三季已接近50％水准。
记忆体厂商表示，尽管三星成功主导MLC制程登主流，且下半年顺利由70奈米转至63奈米制程，然此举却使得SLC（Single-Level-Cell）和MLC之间供需急速失衡，更让控制晶片业者和记忆卡制造商措手不及，支援63奈米MLC制记忆卡控制晶片未完全备战，间接导致8Gb和16Gb NAND型Flash重挫。
此外，支援8Gb和16Gb控制晶片陆续传出不相容问题，甚至导致记忆卡厂产品遭退货，让下游厂商大量采用高容量NAND型Flash意愿降低，然更主要原因，则是缺乏更有力的应用产品，市场陷入供过于求瓶颈，因此，记忆卡厂藉着没足够控制晶片支援产品为由，婉拒上游大厂塞货。
值得注意的是，虽然三星在63奈米制程战役领先，然自2007年第一季起，原本制程落后一个世代的海力士，其60奈米制程亦开始产出，加上东芝下世代56奈米制程加入战局，且该2厂商都是以MLC制程为重心，整个NAND型Flash市场势必将再掀波涛。对三星而言，随着2大竞争对手来势汹汹，其63奈米制程优势将式微，因此，三星将在2007年第二季持续微缩至50奈米制程，以迎接竞争对手的挑战。
根据最新报价，MLC制程8Gb晶片合约价下滑约20％，均价落在9～10美元；16Gb晶片价格下滑逾20％，均价17.5～20美元；在SLC方面，8Gb晶片合约价下滑12％，均价12.5～15美元；16Gb晶片下滑14％，均价24.8～30美元；估计目前整体NAND型Flash市场MLC制程比重约60～70％，其余为SLC制程。
