尔必达70奈米DRAM 量产

     11日报导，日本尔必达公司（Elpida）已开始量产70奈米动态随机存取记忆体（DRAM），东芝公司也将在月底量产56奈米的下一代NAND快闪记忆体。
    
     尔必达公司在广岛的70奈米电路宽度DRAM已经投产，比使用90奈米技术的晶片节省40%成本，容量却增加60%，将用于个人电脑及其他消费电子产品。
    
     另外，东芝位于三重县四日市的新厂，将生产56奈米电路宽度的NAND快闪记忆体，月底就要量产，容量比现有使用70奈米技术的记忆体增加60%。该产品可用于数位录影机与个人电脑，取代传统硬碟。
    
     为使晶片更轻薄，半导体业者不断开发更细微的电路，以降低成本，和增加效能。新晶片的开发往往也带动新的应用，及随之而来的新需求。愈早达到新技术量产的领先者将可获得高额利润。
    
     尔必达在90奈米技术量产上落后三星半年以上，但在80奈米技术的量产领先三个月。尔必达在70奈米技术的领先，希望提高该公司目前在全球DRAM市场约10%的占有率。
    
     东芝在90奈米技术快闪记忆体量产上，也输给三星，近来两者速度相当。目前三星在DRAM与快闪记忆体市场均为龙头。尔必达是全球第五大DRAM制造商，东芝则是第二大快闪记忆体制造商。