iSuppli：新兴记忆体技术之商业化尚待时日

iSuppli：新兴记忆体技术之商业化尚待时日

       在2006年，若干新兴的记忆体技术大步朝商业化目标迈进──虽然它们尚未对在该领域占据主流位置的DRAM或快闪记忆体构成挑战。这些新兴记忆体包括飞思卡尔(Freescale)的商用4Mb MRAM、三星(Samsung)的相变化RAM (PRAM)和全像记忆体、美商InPhase的非半导体记忆体技术。

       市场研究公司iSuppli分析师Mark DeVoss指出，这些记忆体技术的开发已经历时多年，由于各种原因，每一种技术都尚未准备就绪以迎接发展的黄金时间。然而在2006年取得的技术进展可能足以证明：迅速把各自的技术从实验室投入附近的供应商是有益的。

       飞思卡尔表示，其MRAM元件能够撷取所有目前记忆体技术的所有想要的特性。该公司表示，其新元件已经把读出和写入速度平衡到了35ns，类似于DRAM或快闪记忆体，并且储存单元的密度类似DRAM和快闪记忆体。然而飞思卡尔表示，MRAM没有像DRAM那样的泄漏问题，并支援像DRAM、SRAM，以及非挥发性快闪记忆体那样的无限制耐久性约束。

       DeVoss表示，MRAM作为一种技术已经出现了几年，但是由于各种原因一直没有实现大量的商业成功，这些原因包括不具备竞争力的每位元成本，和难以把采用该技术的模组整合在标准的CMOS制程元件之中。

       飞思卡尔的突破在于解决了第一个问题，它利用术语上称为“固定(Toggle)”位元与一种创新的MRAM单元结构相结合，不需要额外的控制三极管就能够把单元稳定在“1”或“0”状态，因而提供了一种最最佳化的位元解决方案。透过把MRAM模组结合到制程流程的后段，可以解决制程整合问题，并将对标准CMOS逻辑制程步骤的影响最小化。

       而三星的512M PRAM值得注目之处，在于其密度和功能集(即密度、读出和写入性能及耐久力)，使之直接与大量应用(如行动电话)中的NOR快闪记忆体竞争。DeVoss表示，在过去的几年中，三星直吹嘘64Mb和256Mb元件将成为NOR快闪记忆体的杀手，但是市场成效不大。该公司目前声称，已经解决了保持记忆体阵列数据所需要的硫化物层的化合物挑战，并预期最快在2008年使主流市场转向PRAM。

       三星不是唯一关注相变化记忆体未来发展潜力的企业，英特尔(Intel)和意法(ST)已经联合设计和开发了128Mb元件，但迄今为止尚未有产品的发表或预测大量商业化生产的日期。DeVoss认为，目前相变化记忆体的关键不在于如何制造，而在于以引人注目的价格点来生产，以便取代它的竞争对手NOR快闪记忆体。如果相变化记忆体不能以合适的价格提供使用，那么市场认同将进一步延迟。

       此外全像记忆体的开发也历时许多年，DeVoss指出，这类记忆体利用雷射、光感测器、影像感测器和在实现术语上称为“体记录”的专用媒介技术。利用为目前消费性高解析度DVD烧录机和高解析度数位相机开发的技术──包括蓝光和绿光雷射技术及CMOS影像感测器──已经能够实现全像记忆体的商业化。

       全像记忆体元件至今尚未准备好投入消费市场，而其一次写入、多次读出(WORM)的限制和高昂的设备成本对提高其采用率有一定限制。然而随着研究工作的深入，全像记忆体可能有一天成为主流的记忆体。

       InPhase的Tapestry 300读/写系统目前的报价是1万8,000美元，在直径仅5.25英寸的单一媒介光碟上提供了300Gb的资料储存密度。DeVoss表示，这种光碟类似于目前标准的DVD光碟，并具有稍微高于100美元的报价。其5.25英寸光碟的理论最大密度目标是超过1.6Tb，但是近来不可能达到那个水准。

       而DeVoss表示，目前看来上述三种记忆/储存技术被认为颇具发展前途，在这些技术开始迈向商业化之前，其未来市场的发展值得拭目以待。

       来源：中国IC交易网