英特尔新墨西哥厂将采用45纳米制程

英特尔新墨西哥厂将采用45纳米制程

    2月27日消息，英特尔计划将新墨西哥厂升级，引进最新的芯片生产技术，而最高投资金额可能达15亿美元。

    

    据彭博社报道，新墨西哥州Rio Rancho厂将是英特尔麾下第4座开始采用45纳米制程生产芯片的工厂。

    

    英特尔等芯片大厂一直积极开发可加速生产和提高产能效率的技术，包括新墨西哥州Rio Rancho厂的升级支出，英特尔已在升级和兴建45纳米制程芯片厂上计划至少80亿美元。

    

    英特尔周一在美股上涨9美分，收20.85美元，今年以来，股价累计上涨3%。

    

    英特尔今年将在俄勒冈州投入45纳米制程生产，而新墨西哥州厂预定在明年下半年以前投产，厂房升级支出将达10亿美元至15亿美元，由英特尔现有预算支付。

    

    英特尔已砸下30亿美元，在亚历桑纳州Chandler兴建45纳米制程芯片厂，另外在以色列的Kiryat Gat投资35亿美元。亚历桑纳州Chandler厂将接着俄勒冈州分厂在今年稍后投产，而以色列厂预定在明年上半年投产。