512Mb DDRII 价格回跌
667MHz面临4美元失守压力
DRAM有效测试颗粒（eTT）价格农历年后止跌回升，一度让淡季露出一线曙光，但在下游业者农历春节后库存回补逐渐完成后，512Mb DDRII有效测试颗粒昨（5）日再度回跌，宣告DRAM止跌讯号暂时终结，为景气走势增添变数。
通路业者指出，先前农历假期台湾主要DRAM厂出货减少，农历年后市场积极回补库存，推升有效测试颗粒价格走势。不过，在历经约一周的进货回补库存后，下游业者库存水位已逐渐回复，价格自然会向下反应。
此外，本月逢日本会计年度尾声，市场期待日系DRAM厂近期将出清库存，价格还有下杀空间，因此当库存回补到一定水位后，在“等着捡清仓便宜货”的预期心理下，买气也逐渐趋于观望。
DRAM厂2月营收受工作天数影响，表现均比元月下滑约两成。随着淡季效应延续，3月虽然营业天数回复正常，但业者普遍认为短期价格走势仍“有压力”。
南科（2408）便指出，现阶段市场需求确实较弱，3月上旬DRAM合约价还是有跌价压力，幅度在两位数百分比以上，预期最快要到4月PC大厂戴尔惠普的季末，厂商冲刺业绩时，才会是合约价走势转机点。
根据昨晚最新报价，512Mb DDRII有效测试颗粒在农历年后连涨一周、波段涨幅逾5%后，昨天涨势停止，小跌0.98%，均价为3.43美元；512Mb DDRII现货价格同步走跌，其中667MHz规格均价下跌1.23%，报4.01美元，面临4美元关卡失守压力。
DRAM有效测试颗粒（eTT）价格农历年后止跌回升，一度让淡季露出一线曙光，但在下游业者农历春节后库存回补逐渐完成后，512Mb DDRII有效测试颗粒昨（5）日再度回跌，宣告DRAM止跌讯号暂时终结，为景气走势增添变数。
通路业者指出，先前农历假期台湾主要DRAM厂出货减少，农历年后市场积极回补库存，推升有效测试颗粒价格走势。不过，在历经约一周的进货回补库存后，下游业者库存水位已逐渐回复，价格自然会向下反应。
此外，本月逢日本会计年度尾声，市场期待日系DRAM厂近期将出清库存，价格还有下杀空间，因此当库存回补到一定水位后，在“等着捡清仓便宜货”的预期心理下，买气也逐渐趋于观望。
DRAM厂2月营收受工作天数影响，表现均比元月下滑约两成。随着淡季效应延续，3月虽然营业天数回复正常，但业者普遍认为短期价格走势仍“有压力”。
南科（2408）便指出，现阶段市场需求确实较弱，3月上旬DRAM合约价还是有跌价压力，幅度在两位数百分比以上，预期最快要到4月PC大厂戴尔惠普的季末，厂商冲刺业绩时，才会是合约价走势转机点。
根据昨晚最新报价，512Mb DDRII有效测试颗粒在农历年后连涨一周、波段涨幅逾5%后，昨天涨势停止，小跌0.98%，均价为3.43美元；512Mb DDRII现货价格同步走跌，其中667MHz规格均价下跌1.23%，报4.01美元，面临4美元关卡失守压力。