茂德 6月切入70奈米制程 增加60%的晶圆产出，整体生产成本可降低三至四成力晶将跟进，华亚科南科第四季才有机会量产。

茂德 6月切入70奈米制程 增加60%的晶圆产出，整体生产成本可降低三至四成力晶将跟进，华亚科南科第四季才有机会量产。

       台湾DRAM制程即将于下半年正式推升至70奈米，70奈米平均可较90奈米增加五至六成的晶圆产出，平均生产成本可有效降低三成以上，国内DRAM厂目前以茂德（5387）进度最快，预计6月量产，力晶（5346）预计第二季末投产，华亚科（2474）、南科（2408）进度稍为落后，最快恐须第四季才有机会量产。
       相较于南韩三星、海力士（Hynix）及日本尔必达（Elpida）等国际级DRAM大厂，国内厂商切入70奈米速度明显落后。
       以三星为例，70奈米早在去年就成为标准制程，上个月三星才宣布即将量产业界第一颗使用60奈米制程技术的1GB DDRⅡDRAM，60奈米可较80奈米制程提高40%的生产效率，与90奈米制程相较，效率更是高出二倍。
       尔必达在去年12月下旬开始量产70奈米制程，目前单月投片量已达1万片，其中512Mb产品，良率已与90奈米制程相当，1Gb的产品目前良率则略低于90奈米，预计今年底前，尔必达70奈米比重将达85%。
       尔必达70奈米制程在512Mb产品的耗电上，可减少50%，1Gb 产品可减少30%，70奈米制程可较90奈米增加60%的晶圆产出，整体生产本可降低三至四成，相当具生产效益。
       茂德70奈米制程目前是台湾DRAM厂中进度最快，3月已在中科三厂投片7,000、8,000片，4月将倍增至1.5万片以上，70奈米目前平均良率已达85%以上，预计第二季末大量产出，今年底前，茂德将有超过九成产能将转为70奈米生产。
       力晶、瑞晶的70奈米制程都由尔必达进行技转，其中力晶将于第二季开始逐渐量产70奈米制程产品，预计今年底前70奈米制程比重可达六成。力晶4日股价下跌0.05、收20.05元。
       瑞晶首座12寸厂已进入架设机器阶段，预计第三季即可以70奈米制程技术正式量产，年底达到月产3万片的目标应该不是问题。另外，今年8月二厂也会开始动土。
       华亚科最近才导入由于南科、奇梦达共同研发的70／75 奈米沟槽式制程，华亚科的说法，最快也要等到第四季即可量产，现阶段仍以90奈米为标准制程。华亚科4日股价上涨0.35元、收38.15元。
       南科则计划在本身的12寸厂开始导入70奈米制程，南科本身的12寸厂将于5月开始进行装机，预计11月开始产出，该座12寸厂最大月产能设计达6.2万片，初期仍将先以90 奈米导入量产，再逐渐导入70奈米制程。南科4日股价上涨0.1元、收28.1元。