DRAM过剩压力浮现 看跌
来源: 作者: 时间:2007-01-18 15:06
在市场一片看好微软Vista将会刺激DRAM需求的预期心理下,去年八月DRAM现货价涨上合约价之上,出现难得一见的黄金交叉后,价格走出近五个月的长多趋势。不过近期NAND价格大跌,传出一线大厂短期内将NAND产能回转DRAM,加上Vista推出前需求出现空窗期,及OEM电脑大厂手中DRAM库存已足,近日DRAM现货市场供给过剩压力已浮现,有效测试(eTT)五一二Mb DDR2价格昨日就大跌逾七%。
由于微软新作业系统Vista要求单台个人电脑的DRAM搭载率需达一GB以上,若游戏软体要跑得顺畅,搭载率最好可达二GB,所以全球DRAM厂极力看好今年DRAM行情,然因去年下半年DRAM价格走出长多行情,五一二Mb DDR2平均价格维持在六美元上下,更加深了DRAM厂今年大扩产能信心,所以在三星及海力士决定将今年DRAM位元成长率拉上八成以上后,国内DRAM厂力晶、茂德、南亚科等,今年位元成长率亦达五五%至六五%。
只是Vista是否真能刺激出DRAM庞大需求,近期市场上已有杂音出现,一来是市场上导入Vista的速度并不够快,三至六个月内应该还看不到DRAM庞大需求被刺激出来,二是DRAM厂今年位元成长率拉高幅度过大,但市调机构估算今年DRAM搭载率成长幅度最多也五成而已,所以已有多家市调机构开始看淡今年DRAM后市。
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