五一长假前备货 DRAM价格稍有调涨

五一长假前备货 DRAM价格稍有调涨

     (华强电子世界网独家报道) 全球DRAM报价自2005年第一季以来，几乎呈现跌多涨少的状况，多数分析师及DRAM厂认为，第二季DRAM报价欲大幅反弹，机会应相当渺茫。但近期现货行情显示，受国内五一长假前的备货动作影响，DRAM价格稍有调涨。
    
     最新行情显示，4月21日深圳现货市场DRAM延续前日涨势，当天内存现货价格跳高开盘，主流品牌Hynix DDR256M 266/333/400分别报于￥170/￥172/￥175。
    
     经验经销商表示，此次DRAM价格出现小幅调涨，主要是因为国内五一长假即将来到，多数DRAM经销商已于近期开始进入强势补货状态，由此造成DRAM报价出现调涨。
    

    
     DRAM厂表示，原本市场预估2005年第一季DRAM价格最多下跌15％～20％，不过事实上整体DRAM现货价跌幅已超过25％，其中最重要的原因在于市场需求萎靡不振，导致供过于求压力不断提高。
    
     过去几周以来，由于DRAM报价跌价速度远高于市场预期，所有下游业者几乎都不太敢备过多的库存，因此长假一旦来临，补货需求一旦显现，市场自然出现一波不小买气，进而造成DRAM现货价出现反弹。
    
     对于DRAM未来几个月走势，由于半导体厂商的良品率提升，以及供需有强烈的缓和倾向，而招致DRAM行情持续疲软，短期内DRAM的价格将处于下滑趋势。因五一长假引起的涨价活动能否持续多久，目前经销商都不能准确定论。
    
    
    

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