DDRII下季需求回温

DDRII下季需求回温

     (华强电子世界网讯)南韩三星90奈米新产能良率趋稳，重回现货市场，加上第二季传统淡季效应发酵，256M DDR现货价近两周来，下跌幅度达10%，效率测试（eTT）产品报价低点来到2.1美元。业者预期，5、6月淡季过后，第三季需求将由主机板带动，预计台湾业者DDRII比重将大幅提升。
    
     根据集邦科技昨（24）日最新报价，DDRII现货价普遍持平，DDR则出现下跌现象，主流规格256M持续下挫1.46%。5月下旬合约报价则出现逆转，512M DDRII模块下跌4.55%，每条模块报价约42美元，不过256M DDR合约价则上涨，幅度达2.5%到5.5%，均价略高于现货价。
    
     DRAM模块业者指出，5、6月受到传统PC淡季影响，市场供给缺口缩小，加上南韩厂商供货增加，使得近期DDR现货价略为下滑，不过从主机板商的订单分析，第三季业绩应该会出现回升。
    
     4月上旬受到三星90奈米新产能良率问题影响，现货市场出现供给缺口，当时256M DDR每颗报价，从1.8美元低点，上涨到2.4美元高点，涨幅超过30%，加上大陆五一长假需求，一度营造淡季不淡的气氛。
    
     今年来全球DRAM厂大幅度将DDR产品线转成DDRII，而下半年个人计算机将进入新规格，计算机大厂普遍急于上半年旧规格产品出清，导致DDR需求逆势增加，带动价格走扬。不过，这种现象诚属短期，下半年在主机板需求释出下，DDRⅡ需求将重新超越DDR。
    
     模块商表示，近期三星以90奈米投片DDRII，以及70奈米投产NAND Flash，良率都趋于稳定，预计6月供给会增加，不过碰上第三季旺季来临，价格应该不会出现大幅度波动。以现况分析，国际品牌PC大厂已经导入新规芯片组，第三季DDRII的需求，将明显比DDR来得强劲。
    
     受到DRAM价格下滑影响，力晶（5346）、茂德（5387）、南科（2408）及华亚科（3474）昨日股价开平震荡走低，力晶、茂德、南科终场约收跌1%左右，华亚科因预期5月营收可能衰退，加上GDR（全球存托凭证）转换普通股筹码持续在市场杀出，盘中股价一度大跌近7%、尾盘跌幅明显缩小。