上周DRAM价格发起最后一波冲击 全面上涨

     (华强电子世界网讯) 据DRAMeXchange的报道，DRAM的现货价格在上星期做了最后一波的冲刺。
    
    　　从12月7日到14日，DDR和低容量SDRAM的平均价格获得上扬，而NAND闪存价格则有所下滑。
    
    　　上星期，已经成为主流的256Mbit DDR400芯片的平均价格上涨了5％，报4.01美元。而DDR333和DDR266的芯片价格则各自下滑了1.5％和0.8％。
    
    　　DRAMeXchange指出，支持DDR芯片价格上扬趋势的有三点原因。一是中国市场年底的需求比预期要高。二是芯片测试和包装的能力依然紧张。三是尽管供应增加，但是eTT的价格仍维持稳定。
    
    　　同时，随着一些芯片设计公司减少产出，低容量SDRAM的价格发生了反弹。
    
    　　NAND闪存芯片的价格普遍出现了下滑，除了8Gbit容量的以外。1Gbit容量的芯片价格下跌了3％，报8.25美元，而容量为2Gbit的芯片的价格则在17.52到17.54美元之间窄幅上落。
    
    　　下星期，由于12月前半月的合同价格比预期要低，因此DRAM和SDRAM的现货价格将维持稳定或有轻微下滑。
    
    　　DRAMeXchange估计，由于合同价格的不断下滑，所以NAND型闪存芯片的现货价格将继续下跌的趋势。
    
    　　DRAMeXchange预测，在高容量芯片里，8Gbit和2Gbit容量的芯片价格的下跌空间将最大，因为它们的现货价格要比合同价格分别高出11％和3％。相反，4Gbit和1Gbit容量的芯片的现货价格只比合同价格高1％。
    
    
    
    

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