4通道RDRAM呼之欲出 比英特尔850E更出色

4通道RDRAM呼之欲出 比英特尔850E更出色

     （华强电子世界网讯） 英特尔不再和Rambus合作，但Rambus相信，和矽统合作推出的新型芯片组SIS R659将比英特尔850E将更加出色。
    
     据估计，SIS R659将于今年下半年上市。芯片组可支持4通道规格的RDRAM内存。新型4通道的RDRAM内存将沿用在RDRAM的1299MHz工作频率，但带宽上升至了9.6GB/秒。
    
     据悉，4通道RDRAM内存的频率和英特尔最新的800MHz前端总线并不匹配，而DDR 400则没有这方面的问题。但新RDRAM的数据传输将比DDR内存更加出色，新品的工作频率包括800/1066/1200MHz。