产能排挤效应 DRAM价格下半年反弹

产能排挤效应 DRAM价格下半年反弹

     (华强电子世界网独家报道) DRAM价格在2005上半年惨跌后，业界目前普遍认为，受产能排挤效应影响，DRAM价格下半年应会反弹。鉴于目前PC主机板和笔记型计算机出货均已开始成长，业者认为，下半年DRAM产业前景将出现转机。
    
     虽然因DRAM价格疲弱，第二季度多数DRAM经销商都出现亏损，但根据集邦科技研究显示，全球主要OEM 计算机制造厂6 月起PC 出货量比预期高出许多，而全球第一及第二大的OEM 计算机制造厂戴尔及惠普，对于第三季度PC 的销售量均抱持乐观态度，预期对于标准型DRAM 模块需求将可望提升。
    
     此外，加上目前DRAM 大厂纷纷把产能移转到NAND Flash、逻辑IC 产品及内存产品代工上，真正能够全力投入量产标准型DRAM 产品的愈来愈少，包括三星、海力士、美光等，为支应MP3、数码相机及插卡手机对于NAND型Flash 需求量，纷纷将DRAM 产能转到NAND Flash 上，因此，整体DRAM 产业在供需面的有利因素支撑下，相对将有助于DRAM 报价稳定。
    
     虽然目前大部分通路商仍处于观望状态，操作也略显保守，但9月返校需求会带动DRAM现货和合约价格上扬，现货行情显示，8月31日DDR现货价格持续向下调整，后来于低价位出现补货买盘，价格略为反弹，32Mx8 Hynix DDR333/400 价格分别为$2.50/$2.50；UTT颗粒价格则为$2.26。