炙手可熱 DRAM长假之前补货忙

炙手可熱 DRAM长假之前补货忙

     (华强电子世界网独家报道) 据最新行情显示，9月以来DRAM现货价上涨已逾10%，受上周现货价带动上扬影响，需求十分疲弱的现货市场在近两日内采购需求大量涌现，强劲的需求已造成现货市场一时间出现DRAM短缺现象。
    
     由于目前现货市场DRAM库存仍低于市场预期，因此在下游厂商开始大量回补DRAM库存水位的情况下，强劲的需求已和现货市场有限的DRAM库存形成了激烈的矛盾。据了解，在DRAM现货市场供不应求的情况下，18日前后DRAM价格连连调涨。
    
     为准备十一长假所需库存量，目前各经销商正不遗余力回补库存。在下游需求端大厂持续扫货的情况下，经销商表示，上周结束时台湾、香港几乎都没有货流通，因此在这一波强劲需求力道下，现货市场DDR价格在“十一”来临前仍可能出现进一步的涨幅。香港现货市场32Mx8 DDR266/333/400 Hynix 价格分别上扬至$4.35/$4.40/$4.60。
    
    

    
     同时，深圳现货市场DDR涨势也较为猛烈。据了解，由于没有更多实质消费需求支持，上周五时市场虽开始走低，外围市场也出现一些微秒的变化，但这一变化并不影响业者对目前市场的乐观行情看法，17日主流品牌Hynix DDR256M 266/333/400分别为￥289/￥295/￥313。
    
     据悉，除国内市场十一长假需求上涨外，近期美国市场需求愈来愈强劲也是刺激DRAM价格上涨的重要原因。有关消息称，因Hynix产品输美要课高额关税，美国本土DRAM厂美光科技每个月近五千万颗256Mb已无法满足市场需求，所以三星、南亚科、茂德等业者，都大减现货市场出货量，全力满足合约市场需求。业者因此表示，三星、南亚科、茂德等业者在现货市场的货源剧减，将成为现货市场刺激DRAM价格上涨的主要原因。
    
     有鉴于此，美国及大陆回补库存需求才刚开始引爆，但DRAM厂端却受制于0.14微米微缩至0.11微米制程、DDR产能转投至DDR2的转换期，无法在数日就将新产能开出的事实，各业者均乐观预测DRAM价格的旺季涨价行程还没结束。预计DRAM市场有旺至年底时，其价格将有机会直接涨至5美元以上。
    
    
    
    

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