买气退潮 DRAM、NAND近期现货又松动
(华强电子世界网独家报道) 尽管目前各DRAM经销商对第四季度旺季需求还是持乐观看法，但是由于近期市场需求明显转弱，加上三星、Hynix、力晶等大厂不断释出未完整测试的DRAM 及NAND闪存，造成近期现货市场各存储芯片价格频频松动。其中，11月以来256Mb DDR现货均价跌幅接近5%，2 Gb NAND芯片更重挫近15%。
按正常需求，11月开始进入电子产品销售旺季后，DRAM及NAND闪存的需求应有所上调。但今年DRAM及NAND供应及需求市场的变化较大，为确保四季度旺季市场的供应稳定，早在10月份时，业者已经开始增加DRAM和NAND芯片的库存量，因此进入11月以后现货市场的补货需求已没有10月初时那般强劲，加上近期市场买气乏力，由此造成近期现货市场各存储芯片的买气退潮现象十分明显。
据上周五现货行情显示，香港市场DDR UTT颗粒出现积极的价格，但普通DDR价格持续放缓并向下调整，32Mx8 DDR266/ 333/ 400 Hynix价格再度轻微下降，分别为$4.22/ $4.25/ 4.50。整个现货市场表现继续淡静，当天成交量偏低。NAND Flash方面，2Gb价格再次出现大幅下跌，市场价只$19.50。而其它Nand Flash价格表现较为稳定，但市场成交量也一般。
而深圳DRAM现货市场连日来的下跌，并没有带动市场的活跃，业者对行情的看法出现更多的分歧。在上周五主流品牌Hynix DDR256M 266/333/400分别收于￥270/￥280/￥308，低价格的出现更加导致业者对市场后市看法不太乐观。NAND FLASH方面，2G的价格也出现继续下调趋势，其它容量的价格比较平稳，市场交易相对较活跃。
整体而言，因买气不振，目前DRAM、NAND近期的现货价都有下挫的迹象。业者表示，目前现货市场DRAM和NAND Flash供货量充足，但价格上涨缺乏力道。造成此现象的原因，也因为近期市场供货端货源充足。
据悉，目前DRAM厂新开出产能除了有效供应OEM厂需求外，也源源不绝地释出至现货市场中。自上周起力晶、三星、Hynix等均新产能陆续释至现货市场，由此更加加剧11月现货市场价格的跌幅。
对于明年存储芯片市场的走势，目前相关权威研究人士不约而同地认为，明年全球半导体销售会萎缩，明年情况不如今年，部分原因就是因为内存芯片和闪存芯片价格下跌。由此可见， DRAM、NAND在经历过去年及今年的高点价后，市场将大不如前。
按正常需求，11月开始进入电子产品销售旺季后，DRAM及NAND闪存的需求应有所上调。但今年DRAM及NAND供应及需求市场的变化较大，为确保四季度旺季市场的供应稳定，早在10月份时，业者已经开始增加DRAM和NAND芯片的库存量，因此进入11月以后现货市场的补货需求已没有10月初时那般强劲，加上近期市场买气乏力，由此造成近期现货市场各存储芯片的买气退潮现象十分明显。
据上周五现货行情显示，香港市场DDR UTT颗粒出现积极的价格，但普通DDR价格持续放缓并向下调整，32Mx8 DDR266/ 333/ 400 Hynix价格再度轻微下降，分别为$4.22/ $4.25/ 4.50。整个现货市场表现继续淡静，当天成交量偏低。NAND Flash方面，2Gb价格再次出现大幅下跌，市场价只$19.50。而其它Nand Flash价格表现较为稳定，但市场成交量也一般。
而深圳DRAM现货市场连日来的下跌，并没有带动市场的活跃，业者对行情的看法出现更多的分歧。在上周五主流品牌Hynix DDR256M 266/333/400分别收于￥270/￥280/￥308，低价格的出现更加导致业者对市场后市看法不太乐观。NAND FLASH方面，2G的价格也出现继续下调趋势，其它容量的价格比较平稳，市场交易相对较活跃。
整体而言，因买气不振，目前DRAM、NAND近期的现货价都有下挫的迹象。业者表示，目前现货市场DRAM和NAND Flash供货量充足，但价格上涨缺乏力道。造成此现象的原因，也因为近期市场供货端货源充足。
据悉，目前DRAM厂新开出产能除了有效供应OEM厂需求外，也源源不绝地释出至现货市场中。自上周起力晶、三星、Hynix等均新产能陆续释至现货市场，由此更加加剧11月现货市场价格的跌幅。
对于明年存储芯片市场的走势，目前相关权威研究人士不约而同地认为，明年全球半导体销售会萎缩，明年情况不如今年，部分原因就是因为内存芯片和闪存芯片价格下跌。由此可见， DRAM、NAND在经历过去年及今年的高点价后，市场将大不如前。
(编辑:何景)
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