受DRAM价格上浮影响 美光一财季收入增长

     12月25日消息 受到DRAM芯片价格上浮的影响，2007年一财季美光销售收入比去年四财季上涨超过2亿美元。
    
     据海外媒体的报道，2007年一财季，美光销售收入达到15.8亿美元，相比去年四财季的13.7亿美元增长了2.1亿美元。同时2007年一财季美光获利1.92亿美元，每股收益0.25美元。
    
     DRAM芯片价格上浮是2007年一财季收入增长的主要原因，美光表示。同时其在维吉尼亚300毫米晶圆工厂中，DRAM储存芯片转换为78纳米制造工艺和NAND闪存转换为72纳米制造工艺的时间表将继续提前。
    
     另据报道，英特尔和美光计划明年在新加坡建立第四座闪存工厂，新工厂计划在08年建成投产。新工厂将由此前双方投资24亿美元建立的合资企业IM快闪科技负责管理。