Hynix推出全球最快存储芯片550MHzDDR-SDRAM

Hynix推出全球最快存储芯片550MHzDDR-SDRAM

     (华强电子世界网讯) 全球第三大存储芯片制造商，韩国Hynix Semiconductor公司周四宣称它开发出了世界上最快的存储芯片——550MHz DDR SDRAM(双倍数据速率－同步动态随机存取存储)芯片，并准备于从四月开始投入量产。
    
    　　
     Hynix称该成就是该公司推出500MHz DDR SDRAM之后不到八个月的时间内取得的。
    
    　　DDR-SDRAM最早是由三星公司于1996 年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS 等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本，因此也称为SDRAM II。其最重要的改变是在界面数据传输上，它在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM的2倍。
    
    　　Hynix的一个官员表示，新芯片采用的是0.11微米的生产工艺，它能为台式机和笔记本电脑上的图形处理，尤其是电脑游戏，带来性能上的提升。