杰尔：硅基IC大限未至！

杰尔：硅基IC大限未至！

     （华强电子世界网讯） 美国杰尔系统公司（Agere Systems, Inc.）日前宣布，该公司研究人员撰写的有关“硅基IC的极限短期内不会来临”的论文已经刊登于《自然》杂志上。此前业内曾普遍认为，随着深次微米技术的不断发展，栅极氧化膜厚度一旦突破2nm，就会丧失绝缘性，因此硅基IC大限将至。
    

　　
     但最近的研究表明：即使进一步减小氧化膜的厚度，仍可以在不引起雪崩式击穿的前提下继续发展深次微米技术。也就是说，由于只会发生互不关联的缓慢软击穿（Uncorrelated Soft Breakdown），因此不会影响到电路的性能。在这篇论文中，解释了这两种击穿现象的区别。
    
    　　杰尔公司表示：“尽管仍有需解决的问题，但硅基IC的可靠性丝毫不会受到动摇。因此，没有必要寻找取代硅的材料”。另外，该公司还计划在2002年12月9日于美国旧金山召开的“2002年国际电子元件会议（2002 IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM））”上做论文发表。