安森美半导体的功率MOSFET有很高的外形性能

安森美半导体的功率MOSFET有很高的外形性能

     （华强电子世界网讯）安森美半导体(ON Semi)的低电压功率MOSFET新添24V/25V N沟道功率MOSFET，这是专门为服务器和台式PC的同步跳冲转换器电路设计的。
    
     新的MOSFET采用专利的平面处理工艺，其外形性能(导通电阻乘门电荷)比前一代产品提高40%。
    
     除了提高开关性能外，平面技术还使导通电阻更低，从而降低导通损耗，其优化的体二极管可减小功率损耗。新的24V/25V N沟道功率MOSFET其总的门电荷为8.4nC至30nC，导通电阻3.7mΩ至117 mΩ。门电压20V，有DPAK、D2PAK和TO-220封装。