安森美半导体推出新型功率MOSFET

安森美半导体推出新型功率MOSFET

     (华强电子世界网讯) 安森美半导体公司推出的几款新型N沟道功率MOSFET 24/25伏器件，是专门针对服务器和台式电脑中的同步降压转换电路(VRM和VRD)以及网络和电信设备中的负载点(POL)转换器而设计的。
    
     该公司表示，新型N型通道开关器件采用了安森美半导体最新的专有平面工艺技术，效益指数(导通电阻×栅极电荷或Rds(on)×QG)佳，开关性能比上一代器件提升了40%。导通电阻低能降低导通损耗；优化的主体二极管可减少电源损耗。这些器件的栅极电荷总数低达8.4纳库伦(nC)，导通电阻低达3.7毫欧(mΩ)，而额定栅极电压为20伏，具有更高的稳固性。