IR新型12V N沟道MOSFET可为输入降压转换器提供高出15％的电流性能

IR新型12V N沟道MOSFET可为输入降压转换器提供高出15％的电流性能

     （华强电子世界网讯） 国际整流器公司 (IR) 推出四款新型12V HEXFET功率MOSFET，这些经优化的器件适用于输入电压较低 (一般为3.3V及5V) 的负载点（POL）降压转换器。新MOSFET的电流处理性能比业界标准30V器件高出15％，最适用于电信及数据通信系统、台式电脑、服务器及游戏机内的负载点降压转换器。
    
    

IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“业界标准30V MOSFET经优化用于较高的输入电压，器件通态电阻及成本较高，但电流性能却较低。IR全新12V MOSFET能为输入电压较低的降压转换器应用提供可靠的防护频带，且电流处理性能更佳，同时满足客户的价格目标。”
    
     全新IRF7476、IRF7475、IRLR3802和IRLU3802 N沟道MOSFET，以及IRF7910双N沟道MOSFET均经过优化，通态电阻及栅电荷较低，使传导及开关损耗降至最低。
    
     在低输入电压负载点降压转换器中，同步及控制MOSFET的工作周期颇为相似，一般高于30％。因此两种MOSFET可采用相似的规格，同时将传导及开关损耗降至最低。
    
     在6A或以下的负载电流应用中，独立的控制及同步MOSFET能以单一IRF7910双MOSFET取替，节省主板空间。10A或以下的应用系统，可采用两个IRF7476或IRF7475 MOSFET。12A或以下电路则采用IRLR3802。
    
     IR最新12V MOSFET现已投入供应，各款器件基本规格如下：