飞兆半导体具有先进工艺的200V/500V平面型MOSFET

飞兆半导体具有先进工艺的200V/500V平面型MOSFET

    

（华强电子世界网讯） 飞兆半导体公司于9月20日推出七种新型高电压平面型MOSFET，具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。专用于满足先进开关电源(SMPS)和DC/DC转换器的性能要求。这些器件的先进条状结构技术和较小封装能为功率系统带来许多益处，如减少功率损耗，提高系统效率和稳定系统质量。
    
     飞兆半导体现提供的七种新型产品包括：三种500V器件，适用于开关模式电源(SMPS)和功率因子校正(PFC)设备，及四种200V器件，适用于DC/DC转换器。这些200V器件也适用于开关和脉冲宽度控制设备。大量订单所需的预订时间为12周或以上。
    
     飞兆半导体的先进技术，平面MOSFET条状结构和更高的活动单元密度，能降低导通电阻、开关损耗和有效输出电容。这种新技术的引用包括两方面，即在p井之间形成补偿区域以提升RDS(ON) 值，以及采用自定位工艺以提高单元密度和稳定性，具有业界最佳性能因子(FOM)和更高的雪崩能量密度。