惊诧：NAND闪存今年至少再跌四成

惊诧：NAND闪存今年至少再跌四成

     （华强电子世界网独家报道） 闪存市场的硝烟依然浓烈。在各大厂商纷纷进驻，产能扩大，市场消耗能力不够，价格下跌的窘境下，日前该市场又传出消息，内存厂商为降低成本，纷纷应用纳米制程，致使产能再次增大，预计2005年NAND芯片将再跌40％！
    
     市场龙头大厂三星宣布已成功开发出63纳米的8Gb NAND Flash生产技术。而因每片晶圆产出量将因制程微缩而增多二成至三成以上，将再进一步压低芯片价格。与此同时，东芝、美光、Hynix、英飞凌、瑞萨（Renesas）等供货商，本季起也全面性以90纳米投产NAND Flash。
    
     这必将导致闪存在纳米制程中再次掀起腥风血雨，市场竞争将进一步恶化。
    
     其实，在内存市场竞争日趋白热化的时候，厂商为降低成本而采取纳米制程的做法对厂商个体来说，也许不失为一个好办法。但是对于整个闪存市场来说，多出来的产能如何消化？这成为市场更大的难题，似乎跌价是唯一出路，相信随着投入厂商的增多与制程微缩带来的产能提升，在市场需求成长速度不如供给量成长速度的压力下，NAND Flash价格进一步大跌为时不远。
    
     尽管对闪存价格下跌已经有了相当的心里准备，但对于此波纳米制成应用带来的产品价格大跌，现货市场经销商也需要有相当的承受能力。