矽成ASRAM的访问时间为8ns

来源:华强电子世界网 作者: 时间:2003-03-07 17:56

     (华强电子世界网讯) 矽成(ISSI)公司已经推出业界首款工作电压为3.3V的8Mb ASRAM,其访问时间为8ns。
    
     这些ASRAM采用该公司的0.15μm CMOS工艺,有16×(IS61LV51216)和8×(IS61LV10248)两种配置,典型工作电流为90mA,待机电流小于5mA。
    
     这些器件适用于网络/宽带、数码相机、手机和汽车市场。16×器件采用48球mBGA和44引脚TSOPII JEDEC封装,8×器件则采用48球和36球mBGA封装及44引脚TSOPII JEDEC封装。
    

(编辑 Tina)

    

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