安森美半导体采用超小型封装的高性能触发器

安森美半导体采用超小型封装的高性能触发器

     （华强电子世界网讯） 安森美半导体日前新推出一款功能全面、边缘触发的单D触发器NL17SZ74US，扩展了其高性能MiniGate™微封装MOS逻辑器件系列。该触发器采用极小的2.1 mm X 3.0 mm US-8封装，可用于膝上型电脑、视频游戏、缆线和DSL调制解调器。下一代流行的便携式游戏系统中已采用该器件进行设计，现已提供样品。
    
     NL17SZ74US可在200MHz的速度以上进行转换。该器件带有设定（SET），清除（CLEAR），Q, QBAR和时钟（CLOCK）等全套引脚，既可用做除法器（除以2）又可用做存储器，是高性能功能上的重要突破。
    
     NL17SZ4US采用LCX技术，这项技术是高性能和强驱动的业界标准。该器件在3.3V电压下的工作频率（fMAX）达到200MHz以上（在5.0V下甚至更快），其工作温度范围更广，为–40 °C至+85 °C。
    
    
     附： 安森美半导体采用LCX技术的单门产品完整系列
    
     NL17SZ74US 单“D”触发器
     NL17SZ00DFT2 双输入单与非门
     NL17SZ02DFT2 双输入单非门
     NL17SZ04DFT2 单换流器
     NL17SZU04DFT2 单非缓冲换流器
     NL17SZ06DFT2 单换流器，开极电极
     NL17SZ07DFT2 单缓冲器，开极电极
     NL17SZ08DFT2 双输入单与门
     NL17SZ14DFT2 单换流器，施密特输入
     NL17SZ16DFT2 单缓冲器
     NL17SZ17DFT2 单缓冲器，施密特输入
     NL17SZ32DFT2 双输入单或门
     NL17SZ125DFT2 单三态缓冲器，低使能
     NL17SZ126DFT2 单三态缓冲器，高使能