三星今年半导体出口100亿美金 主攻中国市场

三星今年半导体出口100亿美金 主攻中国市场

     （华强电子世界网讯） 1月5日报道：根据南韩Moneytoday报道，三星电子今年将以扩大出口市场及新一代产品，在全球市场一争胜负，并计划主攻中国大陆市场。这主要是由于中国大陆市场快速扩大，且需求逐步由低附加值产品转向高附加值与尖端产品。
    
    　　同时，三星电子今年计划在DRAM市场固守霸主地位，同时计划及早开发新一代内存半导体，并进入量产。
    
     预计三星电子去年半导体的出口规模将达100亿美元，今年在全球IT景气复苏的带动下，预期出口规模将可创下历年新高记录。
    
    　　

    
    　　去年于苏州新设半导体研究所（SSCR），还计划在今年上半年于杭州设立第二个半导体研究所。未来苏州研究所将重点研发新一代封装，杭州研究所则将主力研发MCU与OpticalSOC等系统解决方案（SI）。
    
    　　今年将正式激活在中国大陆的三大（开发、生产、销售）核心轴，加速扩大其在中国大陆的半导体事业。同时，除内存与非内存半导体外，TFT-LCD部门亦着手进行后续投资。
    
    　　计划在2006年之前，将其称霸中国大陆市场的产品，由目前的SRAM、DDI（显示器驱动芯片）、VCD芯片与笔记本电脑用LCD等四项大幅扩增到18项。
    
    　　计划在2006年之前，将其在中国大陆的半导体领域销售额提高到50亿美元以上，较去年的16亿美元增加三倍以上。
    
    　　
    
    　　去年9月率先开发出采用70纳米工艺的4GigaNAND型闪存，并在去年12月率先推出内存产品中容量最大的8GigaNAND型闪存。
    
    　　目前在NAND型闪存领域约占有全球65％的市场，计划在今年将市占率提高到70％以上，以强化其在闪存领域的优势地位。
    
    　　已在去年第三季启用12寸晶圆专用厂“Fab12”，用于生产闪存与DRAM。决定大幅扩充12寸晶圆专用生产线。
    
    　　三星电子相关人员表示，预期闪存今年的出口将大幅增加，并将稳居该公司两大出口产品之一（另一为DRAM）。
    
    　　
    
    　　将以DRAM、SRAM与闪存等内存的各种产品组合及市场优势为基础，主导内存半导体的标准与价格走向，并以此强化营销。
    
    　　将及早开发新一代内存半导体，并导入量产，以此抢占市场先机。同时，在产品的出口上，将以高附加价值产品为主。
    
    　　三星电子相关人员表示，将进一步巩固其在DRAM市场的地位，并维持其在DDR400与DDR2等高速DRAM的市场主导权。借由高附加值产品的生产与出口，在市场一争胜负。（熙平）