多数半导体业者认为65奈米技术仍遥不可及

多数半导体业者认为65奈米技术仍遥不可及

     (华强电子世界网讯) 根据Electronic News报道，在上周一项由US Bancorp与Benchmark Strategies召开的半导体业者讨论会中，许多业者讨论到65奈米芯片所可能面临的挑战与机会；目前比较先进的芯片制造商、设备供货商与R&D团体都已开始在研究65奈米相关的问题，不过IP业者Artisan Components表示目前尚未听闻任何65奈米设计出现，而130奈米技术才刚开始成为主流。许多半导体相关业者认为90奈米芯片目前还横亘着许多障碍有待解决，65奈米芯片更是遥远的梦。
    
     半导体业自250奈米与180奈米更往前发展以来，如何将low k film整合一直是一个主要的问题，在130奈米node，许多业者喜欢采用fluorinated silicon glass而不欲解决k值在3以下的下一代low k films所可能存在的问题。在短期内，在90奈米制程中如何整合low k对许多业者而言还是问题，半导体材料公司ATMI表示目前仅听说有一个团体成功地在90奈米制程中采用low k dielectric film；从130奈米进展到90奈米的过程并不如想象中容易与顺利。Toshiba最近宣布该公司将采用Applied Materials Black Diamond low k film与其BLOk barrier film在TC300系列ASIC的90奈米生产程序中。Applied Materials认为65奈米技术的主要瓶颈在于标准silicon substrate的限制，可能的解决方案有ultra shallow junctions或是透过其它材料(如SiGe，silicon germanium)的采用。