飞兆半导体新型沟道IGBT器件具有优异的导电和开关性能

飞兆半导体新型沟道IGBT器件具有优异的导电和开关性能

    

（华强电子世界网讯） 飞兆半导体公司日前推出的1000V沟道IGBT产品FGL60N100D，进一步增强了业界种类最多 (600V~1700V) 具有FRD (快速恢复二极管) 的co-pak IGBT系列产品，这些产品适用于电磁炉、电饭煲、微波炉及其它高功率感应加热电器。
    
     这种新型1000V 器件能为准谐振和单端拓扑提供了足够的电压余量，与采用平面门结构的IGBT相比， FGL60N100D的沟道技术具有优异的导电性能 (Vce (sat) = 2.5V @ Ic = 60A)，以及高速开关性能 (高达50KHz)。FGL60N100D内置的快速恢复二极管简化了产品的拓扑结构，降低了成本。飞兆半导体的600V~1700V系列 IGBT能满足不同的感应加热拓扑需求。1000V FGL60N100D是下一代沟道IGBT产品的代表，它通过降低饱和电压，减少传导损耗。
    
     该系列器件现已提供样品，可批量订购，交付周期为12周或以上。其订购1000片时建议售价为4.00美元/片。