存储行情天天谈——1月10日

来源:集邦科技 作者: 时间:2006-01-11 17:55

     (华强电子世界网讯) DXI为2,895.54, 上涨10.49 (0.36%)
    
     台湾市场:
     今日的DRAM现货市场, 由于海外需求趋缓的影响下, DDR 512Mb(64M*8)400MHz的价格下跌了0.88%至USD4.51, DDRII的部分则是持续上涨。主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz/266MHz的价格调整至USD2.335/USD2.33 与 USD2.207, 成交量有限。UTT(ETT)的部份, 多数买家都在观望新官价, 需求量减少, 价格仅小涨0.44%至USD2.30, 成交量有限。
    
     在NAND FLASH的部分, 在2Gb/4Gb/8Gb的部分, 在需求疲软的情况下, 价格纷纷走软, 不过在1Gb 以及 16Gb的部分, 则是在供货紧缩的因素下, 价格继续上扬, 成交量有限. 主流品牌的1Gb/2Gb/4Gb/8Gb与16Gb的价格调整至USD7.91/USD15.18/USD22.63/USD40.61与USD72.8, 4Gb下跌了2.46%, 是今日跌幅最深的颗粒。
    
     香港市场:
     NAND Flash部分:今天市场上虽然有较多的价格报出,但由于和目标价还有一定的差距,所以成交有限。主要的询盘还是集中在1Gb/2Gb 的部分,1Gb的颗粒因为价格较高,所以难以达成交易。高容量颗粒除了Samsung16Gb价格稍微有所反弹外,其余仍在跌落。Hynix 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb今天的价格大概在: $7.80-7.88、$15.15-15.45、$22.00-22.80、$36.50-37.10 Samsung1Gb/2Gb/4Gb/8Gb/16Gb今天的价格大概在: $7.70-7.98、$15.25-15.40、$22.20-23.00、$38.80-43.15、$73.90-74.20 Micron2Gb:$14.95-15.05
    
     DRAM部分:DDR和DDR2颗粒仍处于上扬态势,DDR2涨幅较大,UTT $2.30-2.33。
    
     深圳市场:
     NAND Flash部分:今天的深圳市场比较安静,因为需求主要在低容量,而其价格又实在是让人难以接受,所以很多任务厂只有干着急。高容量颗粒的价格还是有向下调整一些。Hynix 1 Gb/2Gb/4Gb:¥64.5 ¥125.5 ¥184 Samsung 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb : ¥64.3-65 ¥125.5 ¥187.5 ¥318-355
    
     DRAM部分:SDRAM比较稳定,没什么变化。
    


    

    
    
(编辑 tinna)

    
    
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