美国高通与台积电协同开发低功耗90 纳米工艺

美国高通与台积电协同开发低功耗90 纳米工艺

     （华强电子世界网讯） 日前，美国高通偕同台积电宣布将于 2004 年推出采用台积电 90 纳米低功耗工艺的首套 90 纳米低功耗手机芯片组解决方案。
    
     美国高通公司表示，Nexsys 90纳米工艺使无线产品获得更高程度的整合及更优异的性能。
    
     台积电Nexsys 90纳米的无线芯片制造工艺，应用在MSM6xxx™ 产品系列上。此外，MSM7xxx™ 产品系列也将采用台积电的 90 纳米工艺。
    
     美国高通的 MSM手机芯片组系列，将为手机制造商提供解决方案的多样化组合，以制造下一代的 3G 手机。这些芯片组支持全球主要的第三代 (3G) 与第二代 (2G) 无线标准，并实现高分辨率的多媒体应用，例如视频、声频、图形处理与增强的 3D动画等。MSM 芯片组是高度整合的单芯片解决方案，提供更优异的处理能力，加上较低的功耗，给最终用户带来更好的使用体验。